芯片上“长”出原子级薄晶体管

科技日报北京5月3日电(记者张佳欣)美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺,可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D)过渡金属二硫化物(TMD)材料层,以实现更密集的集成。这项技术...

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